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甲醛
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三氯氢硅
合成路线
（共 390 条）
10026-04-7
四氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
Cu; H2S in neat (no solvent) byproducts: Cu sulfide, H2O; passing H2S through a mixture SiCl4 and Cu powder on boiling;;
参考文献
Ruff, O.; Albert, K.
Ber., 1905 , vol. 38, p. 2222 - 2243
Full Text Show Details
Gmelin Handbook: Si: MVol.B, 253, page 686 - 691
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=700°C; P=5947.36 Torr; 17.8833 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 23 ;
141-57-1
丙基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=550°C; P=5807.73 Torr; 10.1 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 22-23 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=550°C; P=4556.19 Torr; 4.55 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 16-17 ;
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
anhydrous methyl chloride; copper in neat (no solvent) mixt. of CH3Cl/N2 (2:5) and Si-Cu (9:1) at 300°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 42, page 126 - 128
US2380999 , ;
C. A., , p. 4889
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh/C T=800°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 28-29 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=20686.5 Torr; Inert atmosphere; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 24 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=20686.5 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 24 ;
10026-04-7
四氯硅烷
+
1333-74-0
氢气
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
copper(l) chloride T=525°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
ADVANCED SILICON MATERIALS LLC
Patent: WO2006/98722 A1, 2006 ;
Location in patent: Page/Page column 8 ;
10026-04-7
四氯硅烷
+
1333-74-0
氢气
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
in neat (no solvent) SiCl4 reacted with H2 in thermo-plasma at 50 kW at 3500-5000 K;
参考文献
Wu, Qingyou; Chen, Hanbin; Li, Yuliang; Tao, Xumei; Huang, Zhijun; Shang, Shuyong; Yin, Yongxiang; Dai, Xiaoyan
Inorganic Materials, 2010 , vol. 46, # 3 p. 251 - 254
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