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四氯硅烷
合成路线
（共 846 条）
10025-67-9
二氯化二硫
+
112926-00-8
高纯度硅胶I
+
7782-50-5
氯
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) heating (873 K, molar ratio S2Cl2/Cl2 = 1:3, downstream reactor);
参考文献
Zeitschrift fuer Chemie (Stuttgart, Germany), , vol. 23, p. 436 - 436
13465-74-2
溴三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
7789-66-4
溴化硅(IV)
反应条件
in neat (no solvent) passing SiBrCl3 through a tube, heated at 600 °C;;
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 66, p. 931 - 933
13465-85-5
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
13465-84-4
碘化硅(IV)
反应条件
in neat (no solvent) heating;;
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 66, p. 931 - 933
18156-99-5
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
18141-06-5
反应条件
in neat (no solvent)
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 67, p. 1911 - 1914
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
aluminium trichloride in neat (no solvent) byproducts: (C6H5)AlCl2; (C6H5)2SiCl2 and AlCl3 at 35°C;;
参考文献
Doklady Akademii Nauk SSSR, , vol. 88, p. 87 - 89
Zhurnal Obshchei Khimii, , vol. 23, p. 771 - 776
C. A., , p. 4462
7787-82-8
三氯-1-氯乙基甲硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
75-94-5
乙烯基三氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) byproducts: C2H4; decompn. at 610°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 50, page 143 - 146
6233-20-1
2-氯乙基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
75-94-5
乙烯基三氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) byproducts: C2H4; decompn. at 610°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 50, page 143 - 146
13465-74-2
溴三氯硅烷
+
13465-76-4
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
7789-66-4
溴化硅(IV)
反应条件
in neat (no solvent) passing a mixture of SiBrCl3 and SiBr3Cl through a tube, heated at 600 °C;;
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 66, p. 931 - 933
7647-01-0
盐酸
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
in neat (no solvent) reaction at 300 °C;;
参考文献
Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, , vol. 122, p. 531 - 533
684-00-4
1,2-二氯乙基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
690-18-6
+
2441-27-2
三氯-(1-氯乙烯基)硅烷
反应条件
in neat (no solvent) byproducts: HCl; decompn. at 610°C;; mixt. obtained;;
参考文献
Si: MVol.C, 50, page 143 - 146
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