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正丁基锂
合成路线
(共 2303 条)
109-72-8
正丁基锂
+
1560-54-9
烯丙基三苯基溴化膦
→
反应条件
15935-94-1
烯丙叉三苯基膦
反应条件
in tetrahydrofuran T=0°C; 0.5 h;
参考文献
Shen; Wang
Tetrahedron Letters, 1990 , vol. 31, # 4 p. 543 - 544
109-72-8
正丁基锂
+
75-77-4
三甲基氯硅烷
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
in diethyl ether; pentane T=-78 - 20°C; 17 h; Inert atmosphere;
参考文献
Mello, Rossella; Martinez-Ferrer, Jaime; Alcalde-Aragones, Ana; Varea, Teresa; Acerete, Rafael; Gonzalez-Nunez, Maria Elena; Asensio, Gregorio
Journal of Organic Chemistry, 2011 , vol. 76, # 24 p. 10129 - 10139
109-72-8
正丁基锂
+
7677-24-9
三甲基氰硅烷
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
in hexane T=-20°C;
参考文献
Mai, Khuong; Patil, Ghanshyam
Journal of Organic Chemistry, 1986 , vol. 51, # 18 p. 3545 - 3548
109-72-8
正丁基锂
+
5796-98-5
双(三甲基硅基)过氧化物
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
+
1825-65-6
丁氧基(三甲基)硅烷
反应条件
lithium bromide in diethyl ether T=0°C;
参考文献
Camici, Lucia; Dembech, Pasquale; Ricci, Alfredo; Seconi, Giancarlo; Taddei, Maurizio
Tetrahedron, 1988 , vol. 44, # 13 p. 4197 - 4206
109-72-8
正丁基锂
+
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
201230-82-2
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
+
82903-02-4
反应条件
in tetrahydrofuran; diethyl ether; hexane; pentane 1.) -110 deg C, 2 h, 2.) -110 deg C -> room temperature, 1 h, 3.) room temperature, 2 h;
参考文献
Seyferth, Dietmar; Weinstein, Robert M.
Journal of the American Chemical Society, 1982 , vol. 104, # 20 p. 5534 - 5535
109-72-8
正丁基锂
+
42078-17-1
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
in hexane
参考文献
Nametkin,N.S. et al.
Bulletin of the Academy of Sciences of the USSR, Division of Chemical Science (English Translation), 1973 , vol. 22, p. 836 - 840
Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1973 , vol. 22, p. 865 - 870
109-72-8
正丁基锂
+
1825-62-3
三甲基乙氧基硅烷
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
暂无反应条件数据
参考文献
Larsson; van Gilse van der Pals
Svensk Kemisk Tidskrift, 1951 , vol. 63, p. 179
109-72-8
正丁基锂
+
1825-61-2
简称TMSOME
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
in n-heptane T=-0.1°C; Kinetics;
参考文献
Baryshnikov, Yu. N.; Vesnovskaya, G. I.; Kaloshina, N. N.
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), 1980 , vol. 50, # 12 p. 2750 - 2754,2227 - 2230
109-72-8
正丁基锂
+
14642-79-6
苄氧基三甲基硅烷
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
in n-heptane T=-0.1°C; ΔH(activ.); ΔG(activ.); -ΔS; other temperature.; Thermodynamic dataKineticsRate constant;
参考文献
Baryshnikov, Yu. N.; Vesnovskaya, G. I.; Kaloshina, N. N.
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), 1980 , vol. 50, # 12 p. 2750 - 2754,2227 - 2230
109-72-8
正丁基锂
+
14629-57-3
三甲基[(2-苯基-2-丙基)氧基]硅烷
→
反应条件
1000-49-3
丁基三甲基矽烷
反应条件
in n-heptane T=-0.1°C; ΔH(activ.); ΔG(activ.); -ΔS; Thermodynamic dataKinetics;
参考文献
Baryshnikov, Yu. N.; Vesnovskaya, G. I.; Kaloshina, N. N.
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), 1980 , vol. 50, # 12 p. 2750 - 2754,2227 - 2230
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