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十八烷基三氯硅烷
合成路线
（共 7 条）
3386-33-2
氯代十八烷
→
反应条件
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
反应条件
trichlorosilane; tetra-n-butyl phosphonium chloride T=170°C; 6 h;
参考文献
Yeon Seok Cho; Kang; Joon Soo Han; Bok Ryul Yoo; Il Nam Jung
Journal of the American Chemical Society, 2001 , vol. 123, # 23 p. 5584 - 5585
112-88-9
十八烯
+
10025-78-2
三氯氢硅
→
反应条件
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) HSiCl3 and octadecene at 300°C under pressure;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 53, page 153 - 155
Full Text Show Details
Dow Corning Corp.
Patent: US2628243 , 1953 ;
C. A., 1954 , p. 3992
112-88-9
十八烯
→
反应条件
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
反应条件
trichlorosilane T=300°C;
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 69, p. 2916
10026-04-7
四氯硅烷
+
92206-73-0
→
反应条件
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
反应条件
in not given
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 69, p. 2916
92206-73-0
→
反应条件
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
反应条件
tetrachlorosilane; diethyl ether; benzene
参考文献
US2413050 , ;
112-89-0
1-溴十八烷
→
反应条件
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
反应条件
(i) Mg, Et2O, (ii) SiCl4; Multistep reaction;
参考文献
Journal of Organic Chemistry, , vol. 25, p. 243 - 246
112-04-9
十八烷基三氯硅烷
→
反应条件
3069-42-9
十八烷基三甲氧基硅烷
反应条件
1: 93 percent / H2O; NaHCO3 / diethyl ether / 1 h / -10 - 10 °C 2: 61 percent / hexane / 120 h / 20 °C View Scheme
参考文献
Ahmed Aisa, Ali Muhamed; Richter, Heinrich
Carbohydrate Research, 1999 , vol. 321, # 3-4 p. 168 - 175
