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乙基三氯硅烷
合成路线
（共 143 条）
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
110-56-5
1,4-二氯丁烷
反应条件
tetrahydrofuran in neat (no solvent) heating of (C2H5)SiCl3 and THF in a closed tube at180-190°C;;
参考文献
J. chem. Soc. Japan. ind. Chem. Sect. (japan.), , vol. 56, p. 269 - 271
C. A., , p. 7544,10543
109-99-9
四氢呋喃
+
115-21-9
乙基三氯硅烷
+
628-13-7
吡啶盐酸盐
→
反应条件
110-56-5
1,4-二氯丁烷
反应条件
T=180°C;
参考文献
Kogyo Kagaku Zasshi, , vol. 56, p. 269
Chem.Abstr., , p. 10543
115-21-9
乙基三氯硅烷
+
71-36-3
正丁醇
→
反应条件
4766-57-8
正硅酸丁酯
+
109-69-3
1-氯丁烷
+
142-96-1
二丁醚
+
17957-38-9
反应条件
water 144 h; Ambient temperaturevarious reaction time.; Product distribution;
参考文献
Lavrent'ev, V. I.; Kovrigin, V. M.; Vazhenina, N. V.; Treer, G. G.
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), 1983 , vol. 53, # 5 p. 1103 - 1110,978 - 985
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=700°C; P=5947.36 Torr; 17.8833 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 23 ;
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
1789-58-8
乙基二氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen in neat (no solvent) (C2H5)SiCl3 and H2 at Si at about 500°C under pressure in presence of Al-halide;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 50, page 143 - 146
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
boron trichloride in neat (no solvent) (C2H5)SiCl3 at about 425°C under pressure;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 44, page 130 - 132
Full Text Show Details
Linde Air Products Co.
Patent: US2532387 , 1950 ;
C. A., 1951 , p. 2968
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
353-89-9
乙基三氟硅烷
反应条件
antimony(V) pentachloride; SbF3 T=70 - 90°C; P=400 Torr;
参考文献
Ponomarenko; Snegowa
Zhurnal Obshchei Khimii, 1957 , vol. 27, p. 2067,2070; engl. Ausg. S. 2122, 2125
115-21-9
乙基三氯硅烷
+
7783-56-4
氟化锑(III)
→
反应条件
353-89-9
乙基三氟硅烷
反应条件
in not given (C2H5)SiCl3 and SbF3 at 25-90°C without catalyst;;
参考文献
Booth, H. S.; Carnell, P. H.
Journal of the American Chemical Society, 1946 , vol. 68, p. 2650 - 2652
115-21-9
乙基三氯硅烷
+
7647-18-9
氯化锑(V)
+
7783-56-4
氟化锑(III)
→
反应条件
353-89-9
乙基三氟硅烷
+
421-23-8
+
421-22-7
反应条件
T=70 - 90°C; P=400 Torr;
参考文献
Dow Chem.Co.
Patent: US2436777 , 1945 ;
Full Text Show Details
Booth; Carnell
Journal of the American Chemical Society, 1946 , vol. 68, p. 2650,2651
115-21-9
乙基三氯硅烷
→
反应条件
353-89-9
乙基三氟硅烷
反应条件
in not given (C2H5)SiCl3 and ZnF2 at about 60°C;;
参考文献
Emeleus, H. J.; Wilkins, C. J.
Journal of the Chemical Society, 1944 , p. 454 - 456
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Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 38, page 117 - 119
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