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苯基二氯硅烷
合成路线
（共 36 条）
694-53-1
苯硅烷
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
反应条件
TeCl4 in benzene 5 h; Heating;
参考文献
Chadha, Raj K.; Drake, John E.; Neo, Mary K. H.
Journal of Organometallic Chemistry, 1984 , vol. 277, # 1 p. 47 - 52
10025-78-2
三氯氢硅
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
反应条件
phenyl-magnesium bromide in not given
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 58, page 165 - 167
98-13-5
苯基三氯硅烷
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
+
694-53-1
苯硅烷
+
4206-75-1
氯苯基硅烷
反应条件
diisobutylaluminium hydride in toluene Solvent;
参考文献
WO2013/123213 A1, ;
Paragraph 0037-0042 ;
108-90-7
氯苯
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
反应条件
trichlorosilane T=400°C;
参考文献
Industrial and Engineering Chemistry, , vol. 51, p. 131,132
US2591668 , ;
1631-83-0
氯化二苯基硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
反应条件
aluminium trichloride
参考文献
DE845198 , ;
DRP/DRBP Org.Chem.
71-43-2
苯
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
反应条件
trichlorosilane T=400°C;
参考文献
Industrial and Engineering Chemistry, , vol. 51, p. 131,132
US2591668 , ;
10025-78-2
三氯氢硅
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
反应条件
benzene in neat (no solvent) HSiCl3 and benzene at 425°C under pressure;;
参考文献
Si: MVol.C, 43, page 128 - 130
GB645972 , ;
C. A., , p. 5184
4109-96-0
二氯硅烷
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
benzene in neat (no solvent) H2SiCl2 and C6H6 with a Zn-halide as catalyst at 400°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 43, page 128 - 130
DE886308 , ;
C., , p. 9320
1631-83-0
氯化二苯基硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
76-86-8
三苯基氯硅烷
+
1631-84-1
苯基二氯硅烷
反应条件
aluminium trichloride in neat (no solvent) (C6H5)2SiHCl and (C6H5)2SiCl2 at 180-250°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 44, page 130 - 132
GB663810 , ;
C. A., , p. 11239
108-90-7
氯苯
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
dichloromonosilane T=200 - 300°C; initiation by accelerated electrons, other substrates;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 60, # 11.2 p. 2632 - 2633,2360
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