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471-34-1
双(二氯硅基)甲烷
合成路线
（共 5 条）
7440-21-3
硅
→
反应条件
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
dichloromethane; copper in neat (no solvent) Si-Cu (4:1) and gaseous CH2Cl2;;
参考文献
Doklady Akademii Nauk SSSR, , vol. 86, p. 965 - 968
C. A., , p. 10471
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
+
18171-02-3
反应条件
silicon T=350°C;
参考文献
Doklady Akademii Nauk SSSR, , vol. 93, p. 285
Chem.Abstr., , p. 12671
Doklady Akademii Nauk SSSR, , vol. 86, p. 965,967
Chem.Abstr., , p. 10471
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
+
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
hydrogenchloride; silicon; Cu(10 percent)-Cd(0.5 percent) T=280°C; 2 h;
参考文献
Journal of Organometallic Chemistry, , vol. 516, # 1-2 p. 91 - 95
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
+
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
16538-69-5
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
+
16538-67-3
反应条件
tetra-n-butyl phosphonium chloride T=180°C; 2 h; Inert atmosphere; Product distribution / selectivity;
参考文献
SAMSUNG FINE CHEMICALS CO., LTD.
Patent: US2011/77420 A1, 2011 ;
Location in patent: Page/Page column 5 ;
917-64-6
magnesium,carbanide,iodide
+
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
→
反应条件
18163-84-3
反应条件
暂无反应条件数据
参考文献
Toptschiew et al.
Doklady Akademii Nauk SSSR, 1956 , vol. 109, p. 332,334
Chem.Abstr., 1957 , p. 1826
