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甲醛
63148-62-9
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二甲基亚砜
碳酸氢钠
471-34-1
18171-02-3
合成路线
（共 20 条）
67-66-3
氯仿
→
反应条件
75-09-2
二氯甲烷
+
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
trichlorosilane T=100°C; 8 h;
参考文献
Jung, Dong Euy; Kang, Seung-Hyun; Han, Joon Soo; Lim, Weon Cheol; Park, Young-ae W.; Yoo, Bok Ryul
Journal of Organometallic Chemistry, 2007 , vol. 692, # 18 p. 3901 - 3906
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
trichlorosilane; n-Bu4PCl in N-dodecane T=170°C; 24 h;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; DASH, Aswini; KATSOULIS, Dimitris; MCLAUGHLIN, Matthew; SPARSCHU, Wendy
Patent: WO2014/62255 A1, 2014 ;
Location in patent: Paragraph 0038 ;
7440-21-3
硅
→
反应条件
16538-69-5
+
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
dichloromethane; copper in neat (no solvent) Si-Cu (9:1) and a mixt. of gaseous CH2Cl2 and N2 at about 300°C;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 63, page 177 - 179
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
tetrachlorosilane; hydrogen T=300 - 750°C; Flow reactorInert atmosphere; Catalytic behavior;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; DASH, Aswini; KATSOULIS, Dimitris; MCLAUGHLIN, Matthew; SPARSCHU, Wendy
Patent: WO2014/62255 A1, 2014 ;
Location in patent: Paragraph 0037 ;
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
18171-02-3
反应条件
copper; silicon
参考文献
Gen.Electric Co.
Patent: US2381000 , 1942 ;
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
+
18171-02-3
反应条件
silicon T=350°C;
参考文献
Nametkin et al.
Doklady Akademii Nauk SSSR, 1953 , vol. 93, p. 285
Chem.Abstr., 1954 , p. 12671
Full Text Show Details
Toptschiew et al.
Doklady Akademii Nauk SSSR, 1952 , vol. 86, p. 965,967
Chem.Abstr., 1953 , p. 10471
75-09-2
二氯甲烷
→
反应条件
18081-42-0
双(二氯硅基)甲烷
+
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
hydrogenchloride; silicon; Cu(10 percent)-Cd(0.5 percent) T=280°C; 2 h;
参考文献
Yeon, Seung Ho; Han, Joon Soo; Yoo, Bok Ryul; Jung, Il Nam
Journal of Organometallic Chemistry, 1996 , vol. 516, # 1-2 p. 91 - 95
56-23-5
四氯化碳
→
反应条件
75-09-2
二氯甲烷
+
18171-02-3
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
trichlorosilane T=100°C; 8 h;
参考文献
Jung, Dong Euy; Kang, Seung-Hyun; Han, Joon Soo; Lim, Weon Cheol; Park, Young-ae W.; Yoo, Bok Ryul
Journal of Organometallic Chemistry, 2007 , vol. 692, # 18 p. 3901 - 3906
544-10-5
1-氯己烷
+
18171-02-3
→
反应条件
16538-69-5
+
928-65-4
三氯己基硅烷
+
16538-67-3
反应条件
tetra-n-butyl phosphonium chloride T=170°C; 2 h; Inert atmosphere;
参考文献
US2011/77420 A1, ;
Page/Page column 5 ;
75-09-2
二氯甲烷
+
18171-02-3
→
反应条件
16538-69-5
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
+
16538-67-3
反应条件
tetra-n-butyl phosphonium chloride in toluene T=180°C; 3 h; Inert atmosphereAutoclave;
参考文献
Hong, Soon Hyun; Hyun, Sang Il; Jung, Il Nam; Han, Won-Sik; Kim, Min-Hye; Yun, Hoseop; Nam, Suk-Woo; Kang, Sang Ook
Organometallics, 2010 , vol. 29, # 3 p. 687 - 691
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