201024-81-9合成路线 （共 101 条）
参考文献
Angeli; Alessandri; Aiazzi-Mancini
Atti della Accademia Nazionale dei Lincei, Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali, Rendiconti, 1911 , vol. <5> 20 I, p. 554
参考文献
Angeli; Alessandri; Aiazzi-Mancini
Atti della Accademia Nazionale dei Lincei, Classe di Scienze Fisiche, Matematiche e Naturali, Rendiconti, 1911 , vol. <5> 20 I, p. 554
反应条件
1: H2O / benzene / Ambient temperature
2: benzene / Ambient temperature
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参考文献
Mazzanti, Germana; Maccagnani, Gaetano; Bonini, Bianca F.; Pedrini, Paola; Zwanenburg, Binne
Gazzetta Chimica Italiana, 1980 , vol. 110, # 2/3 p. 163 - 166
反应条件
in benzene
96 h; Ambient temperature; Further byproducts given;
参考文献
Mazzanti, Germana; Maccagnani, Gaetano; Bonini, Bianca F.; Pedrini, Paola; Zwanenburg, Binne
Gazzetta Chimica Italiana, 1980 , vol. 110, # 2/3 p. 163 - 166
反应条件
in benzene
96 h; Ambient temperature; Product distributionMechanism;
参考文献
Mazzanti, Germana; Maccagnani, Gaetano; Bonini, Bianca F.; Pedrini, Paola; Zwanenburg, Binne
Gazzetta Chimica Italiana, 1980 , vol. 110, # 2/3 p. 163 - 166
反应条件
Ph2Ge=CHCOOEt
T=100°C;
参考文献
Riviere, P.; Castel, A.; Satge, J.
Journal of the American Chemical Society, 1980 , vol. 102, # 16 p. 5413 - 5415
参考文献
Riviere, P.; Castel, A.; Satge, J.
Journal of the American Chemical Society, 1980 , vol. 102, # 16 p. 5413 - 5415
反应条件
lithium diisopropyl amide
1.) THF, hexane, -78 deg C, 1 h, 2.) a) from -78 deg C to room temp., 1 h, b) room temp., 2 h; Yield given. Multistep reaction. Yields of byproduct given;
参考文献
Tsuge, Otohiko; Sone, Kazuhiro; Urano, Satoshi; Matsuda, Koyo
Journal of Organic Chemistry, 1982 , vol. 47, # 26 p. 5171 - 5177
反应条件
triethylamine in N,N-dimethyl-formamide
6 h; Ambient temperature;
参考文献
Dutta, D. K.; Prajapati, D.; Sandhu, J. S.; Baruah, J. N.
Synthetic Communications, 1985 , vol. 15, # 4 p. 335 - 340
反应条件
chloro-trimethyl-silane; triethylamine in N,N-dimethyl-formamide
16 h; Heating;
参考文献
Dutta, D. K.; Prajapati, D.; Sandhu, J. S.; Baruah, J. N.
Synthetic Communications, 1985 , vol. 15, # 4 p. 335 - 340
