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二氯硅烷
合成路线
（共 90 条）
7647-01-0
盐酸
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
+
13966-57-9
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) reaction in presence of AlCl3 at 100 °C;;
参考文献
Ber., , vol. 52, p. 695 - 724
Si: MVol.B, 256, page 696 - 698
41843-53-2
→
反应条件
16544-95-9
二硅烷基硫醚
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
in diethyl ether 210 K;
参考文献
Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistry (1972-1999), , p. 1661 - 1667
10026-04-7
四氯硅烷
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
+
13966-57-9
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
in gas reactor temp.: 250 - 500°C; detn. by gas chromy.;
参考文献
Indian Journal of Chemistry, Section A: Inorganic, Physical, Theoretical & Analytical, , vol. 27, # 9 p. 756 - 758
7647-01-0
盐酸
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
12775-96-1
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
in solid Kinetics; gas-solid react.; temp. 200 - 600°C; not isolated; detn. by DSC, XRD;
参考文献
Journal of Physical Chemistry B, , vol. 106, # 19 p. 5105 - 5117
7647-01-0
盐酸
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
7783-26-8
三硅烷
反应条件
in gas Kinetics; byproducts: SiHCl3; Irradiation (UV/VIS); IR laser irradiation of the SiH4-HCl mixt.;
参考文献
Spectrochimica Acta, Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy, , vol. 43, p. 257 - 264
7647-01-0
盐酸
+
12134-36-0
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
12775-96-1
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
in solid Kinetics; gas-solid react.; temp. 200 - 600°C; not isolated; detn. by DSC, XRD;
参考文献
Journal of Physical Chemistry B, , vol. 106, # 19 p. 5105 - 5117
10025-78-2
三氯氢硅
→
反应条件
13966-57-9
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
暂无反应条件数据
参考文献
EP1717241 A1, ;
Page/Page column 8 ;
5283-66-9
辛基三氯硅烷
+
4109-96-0
二氯硅烷
+
107-05-1
氯丙烯
→
反应条件
3937-28-8
烯丙基二氯硅烷
反应条件
tetra-n-butyl phosphonium chloride
参考文献
Jung, Il-Nam; Yoo, Bok-Ryul; Han, Joon-Soo; Kang, Seung-Hyun
Patent: US2002/82438 A1, 2002 ;
Title/Abstract Full Text Show Details
Korea Institute of Science and Technology
Patent: US6392077 B1, 2002 ;
928-65-4
三氯己基硅烷
+
4109-96-0
二氯硅烷
+
107-05-1
氯丙烯
→
反应条件
3937-28-8
烯丙基二氯硅烷
反应条件
triphenylphosphine
参考文献
Korea Institute of Science and Technology
Patent: US6251057 B1, 2001 ;
925-90-6
乙基溴化镁
+
4109-96-0
二氯硅烷
→
反应条件
542-91-6
二乙基硅烷
反应条件
in diethyl ether introduction of H2SiCl2 in an etheric soln. of C2H5MgBr;;
参考文献
Si: MVol.C, 34, page 106 - 108
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