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氯甲烷
合成路线
（共 635 条）
74-87-3
氯甲烷
+
101-41-7
苯乙酸甲酯
→
反应条件
57625-74-8
2,2-二甲基苯乙酸甲酯
反应条件
sodium hydride in ethylene glycol dimethyl ether T=20 - 50°C;
参考文献
Merrell Pharmaceuticals Inc.
Patent: US6340761 B1, 2002 ;
Location in patent: Page column 47-48 ;
5332-24-1
3-溴喹啉
+
74-87-3
氯甲烷
+
124-38-9
二氧化碳
→
反应条件
53951-84-1
喹啉-3-羧酸甲酯
反应条件
tetra-(n-butyl)ammonium iodide in N,N-dimethyl-formamide electrolysis, -1.95 V;
参考文献
Fuchs, Peter; Hess, Ulrich; Holst, Hans Henrik; Lund, Henning
Acta Chemica Scandinavica, Series B: Organic Chemistry and Biochemistry, 1981 , vol. 35, # 3 p. 185 - 192
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
tetrachlorosilane; palladium silicide; hydrogen T=400 - 850°C; 5 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/102957 A1, ;
Page/Page column 11 ;
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
反应条件
palladium silicide T=400 - 500°C; 7.5 h; Inert atmosphere; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; ANDERSON, Kurt, E.; DASH, Aswini, K.; HALL, Charles, Alan; KATSOULIS, Dimitris; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/102957 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 10 ;
74-87-3
氯甲烷
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
tin; aluminum silicide; zinc(II) oxide; copper dichloride T=280 - 300°C; Rochow reaction; 6 h;
参考文献
US6339167 B2, ;
Table 1 ;
74-87-3
氯甲烷
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
1: silicon With copper bronze; caesium chloride; copper(l) chloride 3.5 - 4 h; 2: anhydrous methyl chloride With copper(I) phosphide T=20 - 360°C; 11.5 - 12 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
RHODIA CHIMIE
Patent: US2005/283018 A1, 2005 ;
Location in patent: Page/Page column 4 ;
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
silicon; bronze; caesium chloride; copper(l) chloride T=200 - 360°C; 8 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
RHODIA CHIMIE
Patent: US2005/283017 A1, 2005 ;
Location in patent: Page/Page column 5 ;
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
1066-35-9
二甲基一氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
silicon; copper; zinc T=310°C; Conversion of starting material;
参考文献
Liu, Shaomian; Wang, Yingli; Zhu, Yongxia; Wang, Guangna; Zhang, Zailei; Che, Hongwei; Jia, Lihua; Su, Fabing
RSC Advances, 2014 , vol. 4, # 15 p. 7826 - 7833
10026-04-7
四氯硅烷
+
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
反应条件
hydrogen T=400°C; 0.000658333 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; DASH, Aswini, K.; HALL, Charles, Alan; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2011/149593 A1, 2011 ;
Location in patent: Page/Page column 14 ;
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
copper(l) chloride; zinc(II) chloride; silicon T=399.9°C; P=720.06 Torr; Further byproducts given;
参考文献
Okamoto, Masaki; Onodera, Satoshi; Okano, Tomoki; Suzuki, Eiichi; Ono, Yoshio
Journal of Organometallic Chemistry, 1997 , vol. 531, # 1-2 p. 67 - 71
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