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乙二醇
甲醛
63148-62-9
MDI
丁酮
二甲基亚砜
碳酸氢钠
471-34-1
甲基二氯硅烷
合成路线
（共 406 条）
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
1066-35-9
二甲基一氯硅烷
反应条件
trichlorosilane; silicon; copper in chloroform T=324.9°C; P=760 Torr; variation of catalists; Product distribution;
参考文献
Journal of Physical Chemistry, , vol. 93, # 14 p. 5563 - 5568
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
hydrogenchloride; methane; copper in neat (no solvent) Si-Cu (10:2) and a mixt. of CH4 and HCl (1:0.8) at 350°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 42, page 126 - 128
JP3617 , ;
C. A., , p. 3992
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; copper; silicon in neat (no solvent) passing a mixt. of (CH3)SiCl3 and H2 over Si-Cu above 400°C under pressure;;
参考文献
US2595620 , ;
C. A., , p. 7820
992-94-9
甲基硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
反应条件
hydrogenchloride; aluminium trichloride T=100°C;
参考文献
Chemische Berichte, , vol. 52, p. 710,720
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
993-00-0
甲基氯硅烷混合单体
反应条件
dichloromonosilane; Aliquatreg; 336 T=70°C; P=1650.17 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
EP1717241 A1, ;
Page/Page column 3; 7 ;
992-94-9
甲基硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
993-00-0
甲基氯硅烷混合单体
反应条件
HCl in neat (no solvent) heating of CH3SiH3 and HCl in a closed tube at 100°C in presence of AlCl3 for several hours;;
参考文献
Ber., , vol. 52, p. 695 - 724
Si: MVol.C, 48, page 138 - 141
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
992-94-9
甲基硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
反应条件
aluminium trichloride T=100°C;
参考文献
Industrial and Engineering Chemistry, , vol. 51, p. 665,666
1450-14-2
六甲基二硅烷
+
1560-28-7
一氯五甲基二硅烷
+
4342-61-4
1,2-二氯四甲基二硅烷
+
13528-88-6
1,1,2-三氯-1,2,2-三甲基二硅烷
+
4518-98-3
1,2-二甲基-1,1,2,2-四氯二硅烷
+
4518-99-4
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
1066-35-9
二甲基一氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
hydrogenchloride T=430 - 750°C; 72 h; Conversion of starting material;
参考文献
US2005/113591 A1, ;
Page/Page column 2 ;
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
anhydrous methyl chloride in neat (no solvent) passing CH3Cl over Si powder at about 300°C; further products;; mixt. obtained;;
参考文献
Si: MVol.C, 41, page 124 - 126
US2380995 , ;
C. A., , p. 4889
34557-54-5
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
反应条件
trichlorosilane T=647.9°C; P=8.5 Torr; other pressures; Product distributionRate constantMechanism;
参考文献
International Journal of Chemical Kinetics, , vol. 30, # 1 p. 89 - 97
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