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三甲基氯硅烷
合成路线
（共 4778 条）
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
2798-73-4
1-甲氧基-1-丁烯-3-炔
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
反应条件
n-butyllithium in tetrahydrofuran; hexane 1.) -25 deg C to -20 deg C, 1 h; 2.) 25 deg C, 1 h;
参考文献
Zweifel, George; Rajagopalan, Shyamala
Journal of the American Chemical Society, 1985 , vol. 107, # 3 p. 700 - 701
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
93782-17-3
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
反应条件
n-butyllithium in tetrahydrofuran; hexane 1.) -40 deg C to -45 deg C, 30 min; 2.) 25 deg C, 1 h;
参考文献
Zweifel, George; Rajagopalan, Shyamala
Journal of the American Chemical Society, 1985 , vol. 107, # 3 p. 700 - 701
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
2806-97-5
2-丁炔乙缩醛
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
反应条件
1: 2-butyn-1-al diethyl acetal With n-butyllithium; potassium tert-butylate in tetrahydrofuran; hexane T=-78 - -40°C; 2 h; 2: chloro-trimethyl-silane in tetrahydrofuran; hexane T=-78 - 20°C; 16 h; Further stages.;
参考文献
Blangetti, Marco; Deagostino, Annamaria; Rosso, Helena; Prandi, Cristina; Zavattaro, Chiara; Venturello, Paolo
European Journal of Organic Chemistry, 2007 , # 35 p. 5867 - 5874
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
460-12-8
丁二炔
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
反应条件
n-butyllithium in tetrahydrofuran silylation;
参考文献
Solladie, Guy; Colobert, Francoise; Kalai, Chakib
Tetrahedron Letters, 2000 , vol. 41, # 21 p. 4197 - 4200
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
73084-25-0
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
反应条件
T=-50 - -40°C; 15 h;
参考文献
Stracker, Elaine C.; Zweifel, George
Tetrahedron Letters, 1990 , vol. 31, # 47 p. 6815 - 6818
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
13178-30-8
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
+
90235-44-2
反应条件
n-butyllithium 1) anh. ether, n-hexane, 3 h, r. t., 2) anh. THF, 12 h, r. t.; Yield given. Multistep reaction. Yields of byproduct given;
参考文献
Feustel, Michael; Himbert, Gerhard
Liebigs Annalen der Chemie, 1984 , # 3 p. 586 - 599
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
18149-76-3
→
反应条件
4526-07-2
1,4-双(三甲硅基)-1,3-丁二炔
反应条件
(i) nBuLi, (ii) /BRN= 1209232/, (iii) aq. HCl; Multistep reaction;
参考文献
Koebrich,G. et al.
Chemische Berichte, 1973 , vol. 106, p. 1601 - 1611
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
344407-83-6
+
79-08-3
→
反应条件
83623-61-4
反应条件
triethylamine in hexane; chloroform
参考文献
E. R. Squibb and Sons, Inc.
Patent: US4602092 A1, 1986 ;
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
18420-09-2
→
反应条件
78-62-6
+
13176-70-0
反应条件
1: 1,3-diethoxytetramethyldisiloxane With sodium hydroxide T=15 - 26°C; 2: chloro-trimethyl-silane in pentane T=-50°C;
参考文献
Heteroatom Chemistry, , vol. 17, # 6 p. 514 - 541
75-77-4
三甲基氯硅烷
+
121954-24-3
→
反应条件
78-10-4
+
78-62-6
+
17861-35-7
反应条件
1: 3,3-dimethylhexaethoxytrisiloxane With sodium hydroxide T=-35 - 15°C; 1.5 h; 2: chloro-trimethyl-silane in hexane Title compound not separated from byproducts;
参考文献
Rebrov; Muzafarov
Heteroatom Chemistry, 2006 , vol. 17, # 6 p. 514 - 541
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