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甲基三氯硅烷
合成路线
（共 444 条）
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
4342-61-4
1,2-二氯四甲基二硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
2-methyl-1H-imidazole; tetra-n-butyl phosphonium chloride T=265°C; P=13689.1 Torr; 3 h; Autoclave;
参考文献
MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS INC.; LEWIS, Kenrick, M.; NEELY, John, D.
Patent: WO2013/101619 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0098; 0100 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh/C T=700°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 28-29 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=5171.62 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 24 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
992-94-9
+
993-00-0
反应条件
tri-n-butyl-tin hydride; [2,2']bipyridinyl in diethylene glycol dimethyl ether 1 h; Ambient temperature;
参考文献
Hengge, E.; Grogger, C.; Uhlig, F.; Roewer, G.; Herzog, U.; Paetzold, U.
Monatshefte fuer Chemie, 1995 , vol. 126, # 5 p. 549 - 556
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-77-4
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
anhydrous methyl chloride in neat (no solvent) (CH3)SiCl3 and CH3Cl (1:1) on Al at 450°C;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 47, page 136 - 138
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh/C T=600°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 28-29 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; copper; silicon in neat (no solvent) passing a mixt. of (CH3)SiCl3 and H2 over Si-Cu above 400°C under pressure;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 49, page 141 - 143
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
993-00-0
反应条件
dichloromonosilane; Aliquatreg; 336 T=70°C; P=1650.17 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
Wacker Chemie AG
Patent: EP1717241 A1, 2006 ;
Location in patent: Page/Page column 7-8 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
992-94-9
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
反应条件
aluminium trichloride T=100°C;
参考文献
Gilbert et al.
Industrial and Engineering Chemistry, 1959 , vol. 51, p. 665,666
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
T=450°C;
参考文献
Gen.Electric Co.
Patent: US2406605 , 1945 ;
Full Text Show Details
Hurd
Journal of the American Chemical Society, 1945 , vol. 67, p. 1546,1547
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