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甲基三氯硅烷
合成路线
（共 444 条）
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
100-59-4
苯基氯化镁
+
108-90-7
氯苯
→
反应条件
144-79-6
甲基二苯基氯硅烷
+
149-74-6
甲基苯基二氯硅烷
反应条件
in diethyl ether T=64°C; Grignard Reaction; 0.166667 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION
Patent: WO2005/68476 A1, 2005 ;
Location in patent: Page/Page column 6-7 ;
108-86-1
溴代苯
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
144-79-6
甲基二苯基氯硅烷
+
149-74-6
甲基苯基二氯硅烷
反应条件
magnesium 1) ether, 2) ether; Multistep reaction;
参考文献
Ruehlmann, Klaus; Schilling, Petra
Zeitschrift fuer Chemie (Stuttgart, Germany), 1986 , vol. 26, # 12 p. 447 - 448
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=550°C; P=4556.19 Torr; 4.55 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 16-17 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh/C T=800°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 28-29 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=20686.5 Torr; Inert atmosphere; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 24 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=20686.5 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 24 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; Rh/C T=700°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 28-29 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=5171.62 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; BERGER, Stephanie; KATSOULIS, Dimitris; LARSEN, Robert, Thomas; MCLAUGHLIN, Matthew, J.; PILLAI, Unnikrishnan, R.; WINELAND, Jonathan, David
Patent: WO2012/82686 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 24 ;
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
hydrogen; copper; silicon in neat (no solvent) passing a mixt. of (CH3)SiCl3 and H2 over Si-Cu above 400°C under pressure;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 49, page 141 - 143
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
346713-20-0
→
反应条件
1112-91-0
甲基三烯丙基硅烷
反应条件
in tetrahydrofuran T=20°C; 1.5 h;
参考文献
Journal of Organometallic Chemistry, , vol. 691, # 22 p. 4740 - 4746
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