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甲基三氯硅烷
合成路线
（共 444 条）
1558-25-4
(氯甲基)三氯硅烷
+
766-77-8
二甲基苯基硅烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
768-33-2
苯基二甲基氯硅烷
反应条件
T=125 - 210°C; 2 h;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 52, # 11 p. 2565 - 2570,2266 - 2270
1558-24-3
二氯甲基三氯硅烷
+
776-76-1
二苯甲基硅烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
1558-25-4
(氯甲基)三氯硅烷
+
144-79-6
甲基二苯基氯硅烷
反应条件
T=160 - 240°C; 6 h;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 52, # 11 p. 2565 - 2570,2266 - 2270
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
PdSi T=500°C; Inert atmosphere; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2011/94140 A2, ;
Page/Page column 9-10 ;
1066-35-9
二甲基一氯硅烷
+
1558-25-4
(氯甲基)三氯硅烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
T=500°C; 0.00833333 h;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 52, # 11 p. 2565 - 2570,2266 - 2270
10025-78-2
三氯氢硅
+
107-05-1
氯丙烯
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
4518-94-9
+
2550-06-3
3-氯丙基三氯硅烷
反应条件
platinum T=80 - 100°C; Product distribution / selectivity;
参考文献
US2006/116525 A1, ;
Page/Page column 4-5 ;
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-54-7
甲基二氯硅烷
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
hydrogenchloride; methane; copper in neat (no solvent) Si-Cu (10:2) and a mixt. of CH4 and HCl (1:0.8) at 350°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 42, page 126 - 128
JP3617 , ;
C. A., , p. 3992
115-10-6
甲醚
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogenchloride; copper in neat (no solvent) Si-Cu (9:1) and a mixt. of CH3OCH3 and HCl (2:1) at 325°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 42, page 126 - 128
US2459539 , ;
C. A., , p. 3025
10026-04-7
四氯硅烷
+
75-09-2
二氯甲烷
+
1333-74-0
氢气
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
反应条件
T=300 - 750°C; Flow reactorInert atmosphere; Catalytic behavior;
参考文献
WO2014/62255 A1, ;
Paragraph 0037 ;
3768-57-8
+
98-88-4
苯甲酰氯
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
反应条件
on boiling;;
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 74, p. 1421
74-84-0
乙烷
→
反应条件
75-79-6
甲基三氯硅烷
反应条件
iron (III) hydroxide; tetrachlorosilane T=1030°C;
参考文献
US2405019 , ;
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