您好，欢迎来到魔法化学网！
合作交流
|
服务时间(9:30-18:00)
百科
百科
▼
百科
资讯
搜索
结构式
乙二醇
甲醛
63148-62-9
MDI
丁酮
二甲基亚砜
碳酸氢钠
471-34-1
首页
化合物百科
价格行情
资讯
化工导航
实验室工具
搜索
乙二醇
甲醛
63148-62-9
MDI
丁酮
二甲基亚砜
碳酸氢钠
471-34-1
首页
行情
工具
4,6-二羟基烟酸甲酯
合成路线
（共 7 条）
1830-54-2
1,3-丙酮二羧酸二甲酯
+
122-51-0
原甲酸三乙酯
→
反应条件
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
反应条件
1: With acetic anhydride; acetic acid T=120°C; 1.5 h; 2: With ammonia in water 1 h; Cooling with ice; 3: With hydrogenchloride in water
参考文献
Luk, Kin-Chun
Patent: US2012/184562 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 6; 17 ;
US 20120184562 A1
1830-54-2
1,3-丙酮二羧酸二甲酯
→
反应条件
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
反应条件
1: With acetic anhydride; orthoformic acid triethyl ester T=130°C; 1.5 h; 2: With ammonia in water T=0°C; 1 h;
参考文献
Boehringer Ingelheim International GmbH
Patent: US2006/217417 A1, 2006 ;
Location in patent: Page/Page column 12 ;
17094-36-9
+
149-73-5
原甲酸三甲酯
→
反应条件
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
反应条件
ammonium hydroxide; acetic anhydride
参考文献
US6307054 B1, ;
61043-19-4
→
反应条件
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
反应条件
ammonium hydroxide 1 h; ice bath;
参考文献
Journal of Heterocyclic Chemistry, , vol. 20, p. 1363 - 1366
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
→
反应条件
84332-02-5
6-氯-4-甲氧基烟酸甲酯
反应条件
1: N,N-diethylaniline; trichlorophosphate / 21 h / 20 °C / Reflux 2: methanol / 3 h / 0 - 20 °C View Scheme
参考文献
GLENMARK PHARMACEUTICALS S.A.; GHARAT, Laxmikant Atmaram; GAJERA, Jitendra Maganbhai; NARAYANA, Lakshminarayana; KHAIRATKAR-JOSHI, Neelima; KATTIGE, Vidya Ganapati
Patent: WO2012/110860 A1, 2012 ;
WO 2012/110860 A1
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
→
反应条件
716362-10-6
4-甲氧基-6-氯烟酸
反应条件
1: N,N-diethylaniline; trichlorophosphate / 21 h / 20 °C / Reflux 2: methanol / 3 h / 0 - 20 °C 3: lithium hydroxide hydrate / tetrahydrofuran / 3 h / 20 °C View Scheme
参考文献
GLENMARK PHARMACEUTICALS S.A.; GHARAT, Laxmikant Atmaram; GAJERA, Jitendra Maganbhai; NARAYANA, Lakshminarayana; KHAIRATKAR-JOSHI, Neelima; KATTIGE, Vidya Ganapati
Patent: WO2012/110860 A1, 2012 ;
WO 2012/110860 A1
79398-27-9
4,6-二羟基烟酸甲酯
→
反应条件
65973-52-6
4,6-二氯烟酸甲酯
反应条件
triethylamine; trichlorophosphate T=0 - 120°C; 2 h;
参考文献
Luk, Kin-Chun
Patent: US2012/184562 A1, 2012 ;
Location in patent: Page/Page column 6; 17 ;
US 20120184562 A1
