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甲醛
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丁酮
二甲基亚砜
碳酸氢钠
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二苯二氯硅烷
合成路线
（共 297 条）
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
108-90-7
氯苯
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
magnesium T=185°C; 17.5 h; Inert atmosphere;
参考文献
US2012/46488 A1, ;
Page/Page column 2 ;
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
108-90-7
氯苯
→
反应条件
76-86-8
三苯基氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
magnesium T=155°C; Inert atmosphere;
参考文献
US2012/46488 A1, ;
Page/Page column 2-3 ;
108-90-7
氯苯
→
反应条件
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
silicon-copper T=400°C;
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 67, p. 965
Inorg.Synth., , vol. 3, p. 57
775-12-2
二苯基硅烷
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
TeCl4 in benzene 3 h; Heating;
参考文献
Journal of Organometallic Chemistry, , vol. 277, # 1 p. 47 - 52
1631-83-0
氯化二苯基硅烷
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
1,2,2-trichloro-1,1,2-trichloro-ethane; palladium dichloride T=20°C; 1 h;
参考文献
Tetrahedron Letters, , vol. 50, # 36 p. 5080 - 5082
108-90-7
氯苯
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
92-52-4
联苯
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
tin T=450°C; P=0.1 Torr; 1 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
EP1508571 A1, ;
Page/Page column 6 ;
108-90-7
氯苯
→
反应条件
92-52-4
联苯
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
silicon; tin(ll) chloride T=450 - 500°C; 2 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
US2006/84821 A1, ;
Page/Page column 5 ;
108-90-7
氯苯
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
silicon; tin(ll) chloride T=450 - 500°C; 3 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
US2006/84821 A1, ;
Page/Page column 4-5 ;
108-90-7
氯苯
→
反应条件
92-52-4
联苯
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
silicon; tin T=450°C; 1 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
US2006/84821 A1, ;
Page/Page column 4-5 ;
108-90-7
氯苯
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
tin T=450°C; P=0.1 Torr; 1 h; Product distribution / selectivity;
参考文献
EP1508571 A1, ;
Page/Page column 6 ;
1
2
3
4
...
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