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二苯二氯硅烷
合成路线
（共 297 条）
109-72-8
正丁基锂
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
24635-48-1
反应条件
in pentane 1 h; Heating; Yield given;
参考文献
Harloff, Joerg; Popowski, Eckhard; Reinke, Helmut
Journal of Organometallic Chemistry, 2007 , vol. 692, # 7 p. 1421 - 1441
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
778-25-6
甲基二苯基硅烷醇
反应条件
1: diethyl ether / 1 h / Heating 2: KHCO3 / diethyl ether / 1.) 0.5 h 2.) 1 h, reflux View Scheme
参考文献
Nadvornik, Milan; Handlir, Karel; Holecek, Jaroslav; Klikorka, Jiri; Lycka, Antonin
Zeitschrift fuer Chemie (Stuttgart, Germany), 1980 , vol. 20, # 9 p. 343
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
86-26-0
2-甲氧基联苯
反应条件
1.1: 95 percent / diethyl ether / 12 h / Heating 2.1: tetrabutylammonium fluoride trihydrate / tetrahydrofuran; H2O / 1 h / 20 °C 2.2: 79 percent / 2-dicyclohexylphosphino-2',4',6'-triisopropylbiphenyl / [(η3-C3H5)PdCl]2 / tetrahydrofuran; H2O / 12 h / 80 °C View Scheme
参考文献
Sahoo, Akhila K.; Oda, Takuro; Nakao, Yoshiaki; Hiyama, Tamejiro
Advanced Synthesis and Catalysis, 2004 , vol. 346, # 13-15 p. 1715 - 1727
529-28-2
2-碘苯甲醚
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
86-26-0
2-甲氧基联苯
反应条件
tris-(dibenzylideneacetone)dipalladium(0); tetrabutyl ammonium fluoride; water in tetrahydrofuran; toluene T=100°C; 5 h; Inert atmosphere;
参考文献
Pitteloud, Jean-Philippe; Zhang, Zun-Ting; Liang, Yong; Cabrera, Laura; Wnuk, Stanislaw F.
Journal of Organic Chemistry, 2010 , vol. 75, # 23 p. 8199 - 8212
930-68-7
2-环己烯-1-酮
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
20795-53-3
3-苯基环己酮
反应条件
air; NAF; rhodium(I)-bis(1,5-cyclooctadiene) tetrafluoroborate T=100°C; 12 h;
参考文献
Huang; Li
Chemical Communications, 2001 , # 22 p. 2348 - 2349
591-51-5
苯基锂
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
+
1730-25-2
烯丙基溴化镁
→
反应条件
18752-21-1
烯丙基三苯基硅烷
反应条件
(i), (ii) /BRN= 3536275/; Multistep reaction;
参考文献
Jarvie,A.W.P.; Rowley,R.J.
Journal of the Chemical Society [Section] B: Physical Organic, 1971 , p. 2439 - 2442
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
4109-96-0
二氯硅烷
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
反应条件
hydrogenchloride; trichlorosilane; aluminium chloride
参考文献
Rhone-Poulenc Industries
Patent: US3980686 A1, 1976 ;
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
98-13-5
苯基三氯硅烷
反应条件
aluminium trichloride in neat (no solvent) byproducts: (C6H5)AlCl2; (C6H5)2SiCl2 and AlCl3 at 35°C;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 57, page 162 - 165
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
18030-58-5
+
18030-62-1
邻三氯硅烷基联苯
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
108-90-7
氯苯
反应条件
1,1,2-trichloroethylene T=560°C; 0.00555556 h; gas phase; Further byproducts given;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 55, # 10 p. 2317 - 2323,2060 - 2064
7647-18-9
氯化锑(V)
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
→
反应条件
98-13-5
苯基三氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) byproducts: C6H5Cl, SbCl3; (C6H5)2SiCl2 and SbCl5 at room temp.; exothermic react.;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 57, page 162 - 165
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