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二苯二氯硅烷
合成路线
（共 297 条）
36964-86-0
→
反应条件
18030-58-5
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
+
108-88-3
甲苯
反应条件
1,1-dichloro-1-silacyclopent-3-ene T=600°C; gas phase; Further byproducts given. Title compound not separated from byproducts;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 55, # 10 p. 2309 - 2314,2053 - 2057
1048-08-4
四苯基硅烷
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
phosphorus pentachloride T=180 - 240°C;
参考文献
Chemische Berichte, , vol. 19, p. 1021
Chemische Berichte, , vol. 18, p. 1542
71-43-2
苯
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
tetrachlorosilane T=840°C; in der Dampfphase;
参考文献
US2405019 , ;
513-81-5
2,3-二甲基-1,3-丁二烯
+
444584-68-3
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
in benzene-d6 T=110°C; 12 h;
参考文献
Journal of Organometalic Chemistry, , vol. 649, # 1 p. 25 - 42
10026-04-7
四氯硅烷
→
反应条件
76-86-8
三苯基氯硅烷
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
phenyl-magnesium bromide in diethyl ether SiCl4 (1 mol) and C6H5MgBr (2.25 mol) in boiling ether;;
参考文献
Journal of the Chemical Society, , vol. 101, p. 2108
4109-96-0
二氯硅烷
→
反应条件
1631-84-1
苯基二氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
benzene in neat (no solvent) H2SiCl2 and C6H6 with a Zn-halide as catalyst at 400°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 43, page 128 - 130
DE886308 , ;
C., , p. 9320
1631-84-1
苯基二氯硅烷
+
71-43-2
苯
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
iodo trichloro silane; boron trichloride T=200°C;
参考文献
US2611775 , ;
444584-84-3
→
反应条件
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
1: benzene-d6 / 18 h / 70 °C 2: benzene-d6 / 12 h / 110 °C View Scheme
参考文献
Journal of Organometalic Chemistry, , vol. 649, # 1 p. 25 - 42
95-50-1
邻二氯苯
→
反应条件
32962-41-7
+
18030-58-5
+
98-13-5
苯基三氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
反应条件
copper; silicon; nickel(II) oxalate; cadmium (II) chloride Heating; Further byproducts given. Title compound not separated from byproducts;
参考文献
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), , vol. 50, # 8 p. 1790 - 1793,1458 - 1460
108-86-1
溴代苯
+
4518-98-3
1,2-二甲基-1,1,2,2-四氯二硅烷
→
反应条件
144-79-6
甲基二苯基氯硅烷
+
80-10-4
二苯二氯硅烷
+
149-74-6
甲基苯基二氯硅烷
反应条件
tetrakis(triphenylphosphine) palladium(0) T=160°C; 24 h; Inert atmosphereneat (no solvent);
参考文献
Journal of Chemical Research, , vol. 35, # 12 p. 712 - 714
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