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88820-73-9
合成路线
（共 4 条）
88820-71-7
3-氯丙基二甲基乙烯基硅烷
→
反应条件
88820-73-9
反应条件
1: 98 percent / Bu4NI / dimethylformamide / 20 h / 85 - 90 °C 2: 42 percent / NH3 / ethanol / 0.67 h / Ambient temperature View Scheme
参考文献
Tolstikova; Shainyan
Russian Journal of General Chemistry, 1997 , vol. 67, # 11 p. 1728 - 1732
88820-73-9
→
反应条件
88820-74-0
反应条件
in hexane Irradiation;
参考文献
Tolstikova; Shainyan
Russian Journal of General Chemistry, 1997 , vol. 67, # 11 p. 1728 - 1732
88820-73-9
→
反应条件
134245-00-4
+
88820-74-0
反应条件
in hexane T=45°C; Irradiationother thiols;
参考文献
Kirpichenko, Svetlana V.; Tolstikova, Lyudmila L.; Suslova, Elena N.; Voronkov, Mikhail G.
Tetrahedron Letters, 1993 , vol. 34, # 24 p. 3889 - 3892
88820-73-9
→
反应条件
18295-74-4
+
88820-74-0
反应条件
in hexane T=45°C; Irradiation; Title compound not separated from byproducts;
参考文献
Kirpichenko, Svetlana; Tolstikova, Lyudmila; Suslova, Elena; Albanov, Aleksander; Voronkov, Mikhail
Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1995 , vol. 106, # 1 p. 47 - 54
