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930574-42-8
合成路线
（共 4 条）
21959-01-3
四氯双(四氢呋喃)合锆(IV)
+
628-17-1
1-碘戊烷
+
930574-42-8
→
反应条件
113040-61-2
双(戊基环戊二烯)二氯化锆
反应条件
1: n-amyl iodide; CpMgCl in tetrahydrofuran T=20 - 60°C; 4.08333 h; Inert atmosphere; 2: With n-butyllithium in hexanes; diethyl ether T=20°C; 0.666667 h; Inert atmosphere; 3: ZrCl4(tetrahydrofuran)2 in hexanes; diethyl ether T=20°C; 2.5 h; Inert atmosphere;
参考文献
UNIVATION TECHNOLOGIES, LLC; HARLAN, C., Jeff; CAO, Xianyi; RIX, Francis, C.
Patent: WO2011/136902 A1, 2011 ;
Location in patent: Page/Page column 13; 18 ;
111-83-1
溴辛烷
+
930574-42-8
+
10026-11-6
氯化锆(IV)
→
反应条件
191803-21-1
双(辛基环戊二烯)二氯化锆
反应条件
1: 1-bromo-octane; CpMgCl in tetrahydrofuran T=60°C; 5 h; Inert atmosphere; 2: With n-butyllithium in hexanes; diethyl ether T=20°C; 0.666667 h; Inert atmosphere; 3: zirconium tetrachloride in hexanes; diethyl ether T=20°C; Inert atmosphere;
参考文献
UNIVATION TECHNOLOGIES, LLC; HARLAN, C., Jeff; CAO, Xianyi; RIX, Francis, C.
Patent: WO2011/136902 A1, 2011 ;
Location in patent: Page/Page column 15; 19-20 ;
930574-42-8
+
10026-11-6
氯化锆(IV)
+
143-15-7
溴代十二烷
→
反应条件
191803-23-3
双(十二烷基环戊二烯)二氯化锆
反应条件
1: CpMgCl; dodecyl bromide in tetrahydrofuran T=60°C; 6 h; Inert atmosphere; 2: With n-butyllithium in hexanes; diethyl ether T=20°C; 0.666667 h; Inert atmosphere; 3: zirconium tetrachloride in hexanes; diethyl ether T=20°C; 3 h; Inert atmosphere;
参考文献
UNIVATION TECHNOLOGIES, LLC; HARLAN, C., Jeff; CAO, Xianyi; RIX, Francis, C.
Patent: WO2011/136902 A1, 2011 ;
Location in patent: Page/Page column 16 ;
628-17-1
1-碘戊烷
+
930574-42-8
→
反应条件
反应条件
in tetrahydrofuran T=20 - 60°C; 4.08333 h; Inert atmosphere;
参考文献
UNIVATION TECHNOLOGIES, LLC; HARLAN, C., Jeff; CAO, Xianyi; RIX, Francis, C.
Patent: WO2011/136902 A1, 2011 ;
Location in patent: Page/Page column 13 ;
