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甲基-三-n-丁基硅烷
合成路线
（共 7 条）
75-79-6
甲基三氯硅烷
+
1116-70-7
三正丁基铝
→
反应条件
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
sodium hydroxide; sodium in octane
参考文献
Ethyl Corporation
Patent: US5177235 A1, 1993 ;
2031-67-6
甲基三乙氧基硅烷
→
反应条件
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
n-C4H9Li in diethyl ether
参考文献
Larsson, E.; Gilse van der Pals, E. van
Svensk Kemisk Tidskrift, 1951 , vol. 63, p. 179 - 180
Full Text Show Details
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 12, page 37 - 39
109-72-8
正丁基锂
+
102129-44-2
→
反应条件
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
in diethyl ether T=35°C; 2 h;
参考文献
Boudin, Alain; Cerveau, Genevieve; Chuit, Claude; Corriu, Robert J. P.
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 1988 , vol. 61, # 1 p. 101 - 106
109-72-8
正丁基锂
+
1578-31-0
→
反应条件
1578-44-5
二(呋喃-2-基)-二甲基硅烷
+
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
in tetrahydrofuran 12 h; Ambient temperature;
参考文献
Lukevits, E.; Erchak, N. P.; Matorykina, V. F.; Mazheika, I. B.
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), 1983 , vol. 53, # 5 p. 1082 - 1092,959 - 967
693-03-8
溴丁基-镁
+
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
暂无反应条件数据
参考文献
Arbusow; Winogradowa
Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1955 , p. 1031,1032,1033;engl.Ausg.S.945,946,948
109-72-8
正丁基锂
+
2031-67-6
甲基三乙氧基硅烷
→
反应条件
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
暂无反应条件数据
参考文献
Larsson; van Gilse van der Pals
Svensk Kemisk Tidskrift, 1951 , vol. 63, p. 179
109-72-8
正丁基锂
+
1578-31-0
→
反应条件
13271-68-6
2-呋喃基二甲基硅烷
+
1578-44-5
二(呋喃-2-基)-二甲基硅烷
+
995-43-7
甲基-三-n-丁基硅烷
反应条件
in tetrahydrofuran 12 h; Ambient temperature; Product distribution;
参考文献
Lukevits, E.; Erchak, N. P.; Matorykina, V. F.; Mazheika, I. B.
J. Gen. Chem. USSR (Engl. Transl.), 1983 , vol. 53, # 5 p. 1082 - 1092,959 - 967
