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四氯硅烷
合成路线
（共 846 条）
78-10-4
硅酸四乙酯
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
thionyl chloride; N,N-dimethyl-formamide T=55°C; 15 h; Reflux;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY; KATSOULIS, Dimitris, E.; KENNEY, Malcolm, E.; VASSILARAS, Plousia, E.
Patent: WO2013/137904 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0074-0076 ;
682-01-9
四丙氧基硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
thionyl chloride; N,N-dimethyl-formamide T=55°C; 32 h; Reflux;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY; KATSOULIS, Dimitris, E.; KENNEY, Malcolm, E.; VASSILARAS, Plousia, E.
Patent: WO2013/137904 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0074-0076 ;
4766-57-8
正硅酸丁酯
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
thionyl chloride; N,N-dimethyl-formamide T=55°C; 64 h; Reflux;
参考文献
DOW CORNING CORPORATION; CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY; KATSOULIS, Dimitris, E.; KENNEY, Malcolm, E.; VASSILARAS, Plousia, E.
Patent: WO2013/137904 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0074-0076 ;
562-90-3
正硅酸四乙酯
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
thionyl chloride; N,N-dimethyl-formamide T=120°C; 0.2 h; Reagent/catalyst;
参考文献
WO2013/137904 A1, ;
Paragraph 0083-0086 ;
7440-21-3
硅
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
4142-85-2
二(三氯甲硅烷基)甲烷
反应条件
dichloromethane; copper in neat (no solvent) Si-Cu (4:1) and gaseous CH2Cl2 at 400°C;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 63, page 177 - 179
18038-73-8
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
in neat (no solvent) byproducts: ClCHCHCl; decompn. at 610°C;;
参考文献
Agre, C. L.; Hilling, W.
Journal of the American Chemical Society, 1952 , vol. 74, p. 3895 - 3899
74-87-3
氯甲烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
75-78-5
二氯二甲基硅烷
反应条件
PdSi T=400°C; Inert atmosphere;
参考文献
WO2011/94140 A2, ;
Page/Page column 9-10 ;
7719-09-7
氯化亚砜
+
562-90-3
正硅酸四乙酯
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
反应条件
N,N-dimethyl-formamide T=120°C; 0.2 h; Reagent/catalyst;
参考文献
EP2639236 A1, ;
Paragraph 0083-0085 ;
75-00-3
乙基氯
→
反应条件
115-21-9
乙基三氯硅烷
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
994-30-9
三乙基氯硅烷
+
1719-53-5
二氯二乙基硅烷
反应条件
Si-Cu in neat (no solvent) Si-Cu (9:1) and C2H5Cl at 300-325°C;;
参考文献
Si: MVol.C, 49, page 141 - 143
75-79-6
甲基三氯硅烷
→
反应条件
10026-04-7
四氯硅烷
+
10025-78-2
三氯氢硅
+
4109-96-0
二氯硅烷
反应条件
hydrogen; Rh, Re/C T=600°C; P=20686.5 Torr; Product distribution / selectivity;
参考文献
WO2012/82686 A1, ;
Page/Page column 24 ;
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