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四氯硅烷
合成路线
（共 846 条）
10026-04-7
四氯硅烷
+
7301-42-0
二甲基(二苯基)锗烷
→
反应条件
2817-44-9
+
1048-05-1
四苯基锗
+
1626-24-0
三苯基氯化锗
+
1613-66-7
二苯基二氯化锗
反应条件
aluminium trichloride in solid Si-compound reacted with (CH3)2Ge(C6H5)2 at 110-120°C for 3 h in presence of AlCl3;
参考文献
Russian Journal of General Chemistry, , vol. 76, # 10 p. 1564 - 1570
10026-04-7
四氯硅烷
+
17049-49-9
正辛基镁溴盐
→
反应条件
18416-07-4
二氯二正辛基硅烷
反应条件
in not given
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 53, page 153 - 155
Full Text Show Details
Allied Chemical & Dye Corp.
Patent: US2679496 , 1954 ;
C. A., 1954 , p. 9713
10026-04-7
四氯硅烷
→
反应条件
18171-74-9
叔丁基三氯硅烷
反应条件
t-C4H9Li in not given
参考文献
Journal of the American Chemical Society, , vol. 69, p. 981
Journal of the American Chemical Society, , vol. 70, p. 2877
Journal of the American Chemical Society, , vol. 70, p. 2876
Si: MVol.C, 52, page 149 - 153
160956-25-2
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
7732-18-5
水
+
1310-73-2
氢氧化钠
→
反应条件
147-14-8
酞菁蓝
+
19333-15-4
二羟基硅酞菁
反应条件
1: 1,3-diimino-isoindoline; tetrachlorosilane; copper dichloride With quinoline T=210 - 220°C; 1 h; Inert atmosphere; 2: water; sodium hydroxide in pyridine 1 h; Reflux; ConcentrationReagent/catalystTemperatureTime; Overall yield = 105.3 g;
参考文献
Konica Minolta Business Technologies, Inc.; Ishidai, Keiko; Ookubo, Kimihiko
Patent: EP2644660 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0151; 0155 ;
10026-04-7
四氯硅烷
+
3761-92-0
己基溴化镁
→
反应条件
18204-93-8
二氯二己基硅烷
反应条件
in not given
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 53, page 153 - 155
Full Text Show Details
Allied Chemical & Dye Corp.
Patent: US2679496 , 1954 ;
C. A., 1954 , p. 9713
10026-04-7
四氯硅烷
+
2234-82-4
正丙基氯化镁
→
反应条件
2295-24-1
二氯二-n-丙基硅烷
反应条件
in not given
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 52, page 149 - 153
Full Text Show Details
Bygden, A.
Diss. Upsala 1916
10026-04-7
四氯硅烷
+
91-15-6
1,2-二氰基苯
→
反应条件
19333-10-9
酞菁二氯化硅
反应条件
1: 1,2-Benzenedicarbonitrile With sodium methylate in methanol T=20°C; 0.25 h; Inert atmosphere; 2: With ammonia in methanol 1 h; Reflux; 3: tetrachlorosilane With quinoline T=25 - 221°C; Inert atmosphere;
参考文献
BASF SE
Patent: US2010/113767 A1, 2010 ;
Location in patent: Page/Page column 10 ;
→
反应条件
19333-10-9
酞菁二氯化硅
反应条件
quinoline T=40 - 219°C; 6.75 h;
参考文献
BASF SE
Patent: US2010/113767 A1, 2010 ;
Location in patent: Page/Page column 10 ;
10026-04-7
四氯硅烷
+
91-15-6
1,2-二氰基苯
→
反应条件
147-14-8
酞菁蓝
+
19333-10-9
酞菁二氯化硅
反应条件
1: 1,2-Benzenedicarbonitrile; copper dichloride With methanol; tributyl-amine; sodium methylate in 1,2,3,4-tetrahydro-naphthalene T=20°C; 1 h; Inert atmosphere; 2: tetrachlorosilane in 1,2,3,4-tetrahydro-naphthalene T=190 - 200°C; 2 h; ConcentrationReagent/catalyst; Overall yield = 165.3 g;
参考文献
Konica Minolta Business Technologies, Inc.; Ishidai, Keiko; Ookubo, Kimihiko
Patent: EP2644660 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0153 ;
160956-25-2
+
10026-04-7
四氯硅烷
→
反应条件
147-14-8
酞菁蓝
+
19333-10-9
酞菁二氯化硅
反应条件
quinoline T=210 - 220°C; 1 h; Inert atmosphere; ConcentrationReagent/catalyst; Overall yield = 140.3 g;
参考文献
Konica Minolta Business Technologies, Inc.; Ishidai, Keiko; Ookubo, Kimihiko
Patent: EP2644660 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0151 ;
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