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二羟基硅酞菁
合成路线
（共 5 条）
160956-25-2
→
反应条件
19333-15-4
二羟基硅酞菁
反应条件
1: With tetrachlorosilane; 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene in sulfolane T=150°C; 8 h; 2: With water in sulfolane T=80°C; 3 h; Cooling with ice;
参考文献
Konica Minolta Business Technologies, Inc.; Ishidai, Keiko; Ookubo, Kimihiko
Patent: EP2644660 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0210 ;
19333-10-9
酞菁二氯化硅
→
反应条件
19333-15-4
二羟基硅酞菁
反应条件
water; sodium hydroxide in pyridine 1 h; Reflux;
参考文献
Konica Minolta Business Technologies, Inc.; Ishidai, Keiko; Ookubo, Kimihiko
Patent: EP2644660 A1, 2013 ;
Location in patent: Paragraph 0209 ;
160956-25-2
+
10026-04-7
四氯硅烷
+
7732-18-5
水
+
1310-73-2
氢氧化钠
→
反应条件
147-14-8
酞菁蓝
+
19333-15-4
二羟基硅酞菁
反应条件
1: 1,3-diimino-isoindoline; tetrachlorosilane; copper dichloride With quinoline T=210 - 220°C; 1 h; Inert atmosphere; 2: water; sodium hydroxide in pyridine 1 h; Reflux; ConcentrationReagent/catalystTemperatureTime; Overall yield = 105.3 g;
参考文献
EP2644660 A1, ;
Paragraph 0151; 0155 ;
→
反应条件
685898-21-9
+
19333-15-4
二羟基硅酞菁
反应条件
暂无反应条件数据
参考文献
US2004/171827 A1, ;
Page 19-20 ;
3634-67-1
氯三己基硅烷
+
19333-15-4
二羟基硅酞菁
→
反应条件
92396-89-9
硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)
反应条件
pyridine T=115°C; 5 h;
参考文献
BASF SE
Patent: US2010/113767 A1, 2010 ;
Location in patent: Page/Page column 10-11 ;
